Growth of solidified films, particularly semiconductors, from melts using a substrate with a profiled surface.

摘要

Es werden Substrate für das Aufwachsen von erstarrenden Schmelzen angegeben, die gegenüber der Substratgrundfläche erhöhte Kontaktflächen besitzen, welche so verteilt sind, daß die aufwachsende Schmelzschicht auf ihnen aufliegt und durch die Oberflächenspannung freitragend von der Grundfläche getrennt gehalten wird. Diese Substrate werden vorteilhaft für das Aufwachsen von Halbleitermaterialschichten, insbesondere auf Siliciumbasis, eingesetzt und eignen sich besonders für Verfahren zur Herstellung von Solarzellengrundmaterial, bei denen die selbsttätige Ablösung der aufgewachsenen Schicht erforderlich ist.