| 摘要 |
揭示一种在基板上沈积含碲膜的方法，其包括(a)在反应器中提供基板；(b)将至少一种含碲前驱物引入反应器中，该含碲前驱物之式为TeL#sB!n#eB!或环状LTe(-L-)#sB!2#eB!TeL，其中至少一个L含有键结于一个该Te的N，“n”系介于2-6之间，包括2与6，且各个“L”系独立地选自某些烷基与芳基。该方法进一步包括(c)视情况引入至少一种含M源，其中M为Si、Ge、Sb、Sn、Pb、Bi、In、Ag或Se，或其任意者的组合；(d)视情况引入含氢流体；(e)视情况引入含氧流体；(f)视情况引入含氮流体；(g)使前驱物和含M源(若有的话)在反应器中与含氢、含氧及/或含氮流体(若有的话)反应；以及(h)在基板上沈积一层含碲膜。 |
