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离子束蚀刻之二维均匀度修正
摘要
一种离子束辅助蚀刻之二维均匀度修正方法。在一实施例中,提供了用以离子束来蚀刻基板的方法。在此实施例中,检索包含植入剂量率与蚀刻率之间相互关系的离子植入剂量布图。此外,获取包含基板的离子束蚀刻时所使用之离子束参数值的配方。离子束导引至基板的表面且根据离子植入剂量布图以及配方中的离子束参数值而利用离子束来蚀刻表面。根据离子植入剂量布图以及离子束参数值来控制表面的蚀刻。
申请公布号
TW200926326
申请公布日期
2009.06.16
申请号
TW097136526
申请日期
2008.09.23
申请人
瓦里安半导体设备公司
发明人
沃特 史帝文R;纽南 彼得D;艾洛克海 由里
分类号
H01L21/66(2006.01);H01L21/3065(2006.01)
主分类号
H01L21/66(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
美国
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