| 发明名称 | 改善PIP电容的电介质击穿电压和可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善PIP电容的电介质击穿电压和可靠性的方法，把待测PIP电容置于230℃到250℃的温度下，用强度为275mw/cm<sup>2</sup>的紫外光对所述PIP电容照射600秒。本发明可有效地排除干扰因素，提高电子器件的击穿电压和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN100588978C | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200610030098.0 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨林宏;牛健;周宁;董彬;田三河;陈亮 |
| 分类号 | G01R31/12(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种改善PIP电容的电介质击穿电压和可靠性的方法，其特征是，把待测PIP电容置于温度等于230℃、或大于230℃小于250℃、或等于250℃的环境下，用强度等于250mw/cm2、或大于250mw/cm2小于300mw/cm2、或等于300mw/cm2的紫外光对所述PIP电容进行照射，照射时间等于550秒、或大于550秒小于650秒、或等于650秒。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||