| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING A JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0286428(A3) |
申请公布日期 |
1990.08.01 |
| 申请号 |
EP19880303166 |
申请日期 |
1988.04.08 |
| 申请人 |
GTE LABORATORIES INCORPORATED |
发明人 |
ARMIENTO, CRAIG A. |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/28;H01L21/337;H01L29/772;H01L29/808;(IPC1-7):H01L29/80 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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