| 发明名称 |
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT PROVIDED WITH EMBEDDED DIFFUSION LAYER |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH02194531(A) |
申请公布日期 |
1990.08.01 |
| 申请号 |
JP19890012627 |
申请日期 |
1989.01.21 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
TSUNODA YOSHIHIRO |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/20;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/331;H01L21/74 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
