Integrated semiconductor device comprising a field-effect transistor with an isolated gate biased at a high level.

摘要

Dispositif semiconducteur intégré, incluant un transistor à effet de champ (T1), d'un type à grille isolée, cette grille (20) étant polarisée en continue à un niveau élevé, caractérisé en ce que le transistor a une caractéristique de courant drain-source en fonction de la tension grille-source montrant une zone de transconductance négative au-delà d'un maximum de part et d'autre duquel les pentes de la caractéristique sont sensiblement symétriques, en sorte que deux valeurs de la tension grille-source symétriques par rapport à ce maximum correspondent sensiblement à une même valeur du courant drain-source, et en ce que ce transistor est muni de moyens de polarisation (VE) pour obtenir que son régime de fonctionnement se situe dans la région de cette caractéristique autour de ce maximum. Application : circuits numériques et analogiques