| 摘要 |
L'invention concerne une cellule mémoire formée dans un substrat (SUB) semi-conducteur, comprenant une grille de sélection (SGC) s'étendant verticalement dans une tranchée (TR) pratiquée dans le substrat, et isolée du substrat par une première couche d'oxyde de grille (D3), une grille flottante (FG) horizontale s'étendant au-dessus du substrat et isolée du substrat par une seconde couche d'oxyde de grille (D1), et une grille de contrôle (CG) horizontale s'étendant au-dessus de la grille flottante, la grille de sélection (SGC) couvrant une face latérale de la grille flottante, la grille flottante étant séparée de la grille de sélection uniquement par la première couche d'oxyde de grille (D3), et séparée d'une région de canal verticale (CH2) s'étendant dans le substrat le long de la grille de sélection, uniquement par la seconde couche d'oxyde de grille. |
