Process for reducing the variation of a cover sheet pattern structure as a result of reflection created by the optical lithography used in the production of an integrated circuit.

摘要

Zur Verringerung reflexionsbedingter Strukturgrößenschwankungen in einer Deckschicht (1), z. B. aus Fotolack, bei der Herstellung integrierter Schaltungen in einem Substrat (3), z. B. aus Silizium, mit Hilfe optischer Lithographie wird unter die Deckschicht (1) eine Antireflexschicht (2) aufgebracht. Eine Ausführungsform der Antireflexschicht (2) besteht durchgehend aus einem Material, z. B. Si3N4, das einen Brechungsindex hat, der größer ist als derjenige der Deckschicht (1), und weist eine Dicke auf, die einem Viertel der Wellenlänge des zur Belichtung verwendeten Lichtes entspricht. Eine weitere Ausführungsform der Antireflexschicht (2) ist aus einer ersten Schicht (21) aus z. B. SiOxNy und einer zweiten Schicht (22) aus z. B. SiO2 zusammengesetzt, wobei die unter der Deckschicht (1) liegende erste Schicht (21) einen größeren Brechungsindex aufweist als die Deckschicht (1), die unter der ersten Schicht (21) liegende zweite Schicht (22) einen kleineren Brechungsindex aufweist als die erste Schicht (21) und das unter der zweiten Schicht (22) angeordnete Substrat (3) einen größeren Brechungsindex als das Substrat (3) aufweist.