发明名称 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung |
摘要 |
Ein Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren werden bereitgestellt. Ein reflowfähiges Material wird in elektrischer Verbindung mit einer Durchkontaktierung angeordnet, wobei die Durchkontaktierung sich durch einen Vergusswerkstoff erstreckt. Eine Schutzschicht wird über dem reflowfähigen Material gebildet. Bei einer Ausführungsform wird eine Öffnung innerhalb der Schutzschicht gebildet, um das reflowfähige Material freizulegen. Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Schutzschicht derart gebildet, dass das reflowfähige Material sich weg von der Schutzschicht erstreckt. |
申请公布号 |
DE102015106053(A1) |
申请公布日期 |
2016.07.28 |
申请号 |
DE201510106053 |
申请日期 |
2015.04.21 |
申请人 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
发明人 |
Tsai, Po-Hao;Cheng, Li-Hui;Lin, Jing-Cheng |
分类号 |
H01L23/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/485 |
主分类号 |
H01L23/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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