| 摘要 |
<p>On réalise des pointes aiguisées (32) solidaires de consoles (34) à couche mince en formant un support rectangulaire au silicium (14) sur une (100) tranche de silicium (12). L'attaque du sommet du support laisse des pointes aiguisées de silicium (16, 17) au niveau des angles de ce qui reste du support en silicium. On fait croître thermiquement sur la tranche de silicium (12) et les pointes aiguisées de silicium (16) une console en dioxyde de silicium (34) avec une pointe intégrée (32).</p> |
