| 摘要 |
본 발명은, 산화물 반도체의 층 및 상기 산화물 반도체의 층 위에 몰리브데늄 또는 타이타늄을 포함하는 층을 포함하여 기판을 제공하는 단계; 상기 몰리브데늄 또는 타이타늄을 포함하는 층에 포토레지스트 층을 적용한 후, 상기 포토레지스트 층을 패턴화 및 현상화하여서 상기 몰리브데늄 또는 타이타늄을 포함하는 층의 노출된 부분을 형성함으로써 상기 기판을 준비하는 단계; 암모니아 또는 암모늄 하이드록사이드, 4급 암모늄 하이드록사이드 및 퍼옥사이드를 포함하는 조성물을 제공하는 단계; 및 상기 몰리브데늄 또는 타이타늄을 포함하는 층의 노출된 부분을 에칭 및 제거하기에 충분한 시간 동안 상기 조성물을 상기 노출된 부분에 적용하는 단계로서, 상기 에칭은 상기 산화물 반도체와 비교하여 상기 몰리브데늄 또는 타이타늄을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는, 산화물 반도체 필름과 비교하여 몰리브데늄 또는 타이타늄을 선택적으로 에칭하는 방법을 제공한다. |
