| 发明名称 |
VAPOR GROWTH METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02180798(A) |
申请公布日期 |
1990.07.13 |
| 申请号 |
JP19880333581 |
申请日期 |
1988.12.28 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
MASHITA MASAO;KAWAHISA YASUTO;ISHIKAWA HIROCHIKA;SASAKI MASAHIRO |
| 分类号 |
C30B25/14;C30B29/40;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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