| 摘要 |
Procédé de production d'un mince film en oxyde supraconducteur de forte cristallinité et de bonne qualité, et nouveau matériau de base monocristallin indiqué pour ce procédé et permettant de produire aisément un film épitaxial de bonne qualité. Ce procédé de production consiste à effectuer une culture épitaxiale d'un film mince en un oxyde supraconducteur sur une base comprenant un monocristal de SrLaGaO4 qui est un oxyde présentant un point de fusion élevé et une constante de réseau très proche de celle de l'oxyde supraconducteur. Le matériau de base monocristallin susmentionné comprend un monocristal d'oxyde possédant une structure cristalline de type K2NiF4 et une composition Sr1-xLa1-yGa1-zO4-w dans laquelle -0,1 < x < 0,1, -0,1 < y < 0,1, -0,1 < z < 0,1 et -0,4 < w < 0,4. |
