Process for the production of silicon nitride.

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumnitrid, wobei feinteiliges Siliciumpulver einer Korngröße von 5 bis 500 µm in einer Reaktionsstufe vorzugsweise in einem Drehrohrofen bei 1000 bis 1800°C und 1,01 bis 1,8 bar mit Stickstoff zur Reaktion gebracht wird, bis das Produkt 1 bis 39,5 Gew.-%, insbesondere 5 bis 25 Gew.-%, Stickstoff enthält. Ggf. läßt man das teilazotierte Produkt in einer zweiten Reaktionsstufe mit einem Stickstoff/Inertgasgemisch bei 1100 bis 1600°C im Ruhebett bis zur Beendigung der Stickstoffaufnahme fertig reagieren, wobei man den Stickstoffanteil im Reaktionsgas entsprechend dem Reaktionsfortschritt erhöht. Das erhaltene Siliciumnitrid, dessen Verhältnis von α:β-Phase man durch die Reaktionstemperatur beeinflussen kann, fällt in poröser Form an und eignet sich nach dem Mahlen hervorragend zur Herstellung von Preßkörpern oder als Komponente in hochtemperaturbeständigen Formteilen.