发明名称 耐高电压的场效应功率晶体固体组件
摘要 本发明为一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件,它是由若干个VMOS增强型场效应功率晶体管互相串联,加上均压电阻和提供给各单个VMOS增强型场效应功率晶体管的栅极偏压的电阻网络共同组成的,以绝缘材料封装成一体。其功能相当于一个VMOS场效应功率晶体管,可承受万伏以上的高电压,额定输出电流达数安培,适合取代电子管作高电压放大、稳压和稳流之用。
申请公布号 CN1043829A 申请公布日期 1990.07.11
申请号 CN89105651.3 申请日期 1989.12.29
申请人 谭金发 发明人 谭金发
分类号 H01L25/11;H01L29/784 主分类号 H01L25/11
代理机构 湖南省衡阳市专利事务所 代理人 杨代祯
主权项 1、一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件,其特征在于:它是由(N+1)个(N为大于1的整数)VMOS增强型场效应功率晶体管T1~TN+1依次串联起来,(N+1)个均压电阻R1~RN+1也依次串联起来,N对电阻R11和R12,R21和R22,……RN1和RN2它们也分别串联起来,按照(1)将电阻R11和R12的串联点,R21和R22的串联点,……RN1和RN2的串联点分别接到T1的栅极(C1)、T2的栅极(C2),……TN的栅极(CN)各点上;(2)将电阻R11、R21……RN1的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的均压电阻R1~RN+1的N个串联节点(A1)、(A2)、……(AN)上;(3)将电阻R12、R22、……RN2的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的VMOS增强型场效应功率晶体管T1~TN+1的N个串联节点(B1)、(B2)、……(BN)上的方法连接它的内部连线;以T1的漏极作为该固体组件的等效漏极;以TN+1的栅极作为该固体组件的等效栅极,以TN+1的源极作为该固体组件的等效源极。
地址 湖南省衡阳市黄茶路194号(衡阳半导体厂)