| 发明名称 |
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING BI-CMOS CONSTRUCTION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0258715(A3) |
申请公布日期 |
1990.07.04 |
| 申请号 |
EP19870111824 |
申请日期 |
1987.08.14 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
SHIBA, HIROSHI C/O NEC CORPORATION;EGUCHI, SHOJI C/O NEC CORPORATION |
| 分类号 |
G11C7/18;G11C11/412;G11C11/416;G11C11/419;(IPC1-7):G11C11/40;G11C7/00 |
主分类号 |
G11C7/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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