| 摘要 |
<p>Das Verfahren soll ohne die Verwendung von epitaktischem Material die Herstellung von Leistungshalbleiterdioden mit einer Basiszone bis herunter zu etwa 70 µm bei einer Scheibendicke von 200 µm ermöglichen. Diese Aufgabe wird durch Kombination eines Verfahrens zur Herstellung einer isolationsdiffundierten Randzone und einem Verfahren zur Herstellung der erforderlichen p- und n<+>-Schichten durch Tiefdiffusion gelöst, wobei unstrukturierte Dotierstoffquellen verwendet werden. Das Verfahren läßt sich zur Herstellung von Leistungshalbleiterdioden verwenden, die schnell sind und eine Sperrspannung in Höhe der Volumendurchbruchspannung aufweisen.</p> |
