| 摘要 |
<p>Le procédé selon l'invention comprend les opérations suivantes : - on forme un empilement d'un premier matériau qui est un conducteur oxydant et d'un second matériau qui est un conducteur oxydable et de préférence un semiconducteur, - on porte cet empilement à une température apte à provoquer une oxydo-réduction entre les deux matériaux, ce qui forme une couche intercalaire isolante, - on ramène l'ensemble à température ambiante. Application en électronique, dans la réalisation d'écrans d'affichage à cristaux liquides à matrice active, ou de mémoire RAM dynamique.</p> |
