| 发明名称 |
INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURE THEREOF INCLUDING LOW TEMPERATURE METHOD FOR FORMING SILICIDE STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02170555(A) |
申请公布日期 |
1990.07.02 |
| 申请号 |
JP19890278820 |
申请日期 |
1989.10.27 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPH & TELEGR CO <ATT> |
发明人 |
MINNRIAN CHIEN;CHIYUNGU WAI REUN;EDOWAADO PII MAACHIN JIYUNIYA |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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