发明名称 鏻殟
摘要 本发明提供含有下列结构式之鏻之杀霉菌组合物。□ (Ⅰ)其中,n代表0,1,2或3,R代表卤原子或经任意取代之烷基、卤烷基、烷氧基或卤烷氧基,R1,R2和R3各自代表任意经取代之烷基、环烷基、苯基、或基,X代表阴离子;某些新颖之鏻,制备此类化合物之方法,以及使用此等组合物或化合物以对抗植病霉菌之方法。
申请公布号 TW137096 申请公布日期 1990.07.01
申请号 TW077107981 申请日期 1988.11.16
申请人 蚬壳国际研究所 发明人 古多.亚伯特;克瑞斯托.德雷达维斯基;亚瑟.亚伯特.雷姆塞;乔吉.柯特兹
分类号 A01N57/24;C07F9/6539 主分类号 A01N57/24
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒通式如下之化合物: 其中n为0,1或2;R代表氯原子或甲 基、三氟甲基、甲氧基、或三氟甲氧基; R^1,R^2和R^3各自代表乙基、丁 基、环己基、基、苯基、氟苯基、氯苯 基、甲基苯基、三氟甲基苯基或甲氧苯基 ;X代表氯阴离子。 2﹒根据申请专利范围第1项之化合物,其中 n为1:R为氯原子,取代于4位置上; R^1,R^2和R^3各代表一个未经取 代之苯基。 3﹒一种制造如下通式之化合物之方法: 其中n为O,1或2;R代表氯原子或甲 基、三氟甲基、甲氧基、或三氟甲氧基: R^1,R^2和R^2各自代表乙基、丁 基、环己基、基、苯基、氟苯基、氯苯 基、甲基苯基、三氟甲基苯基或甲氧苯基 或甲氧苯基;X代表氯阴离子。 该方法包括令下式化合物其中n和R如同 申请专利范围第1项所界定,L为一离去 基,可以阴种子而脱离; 和下式化合物反应(III)其中R^1 、R^2和R^3如同申请专利范围第1项 所界定。 4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中L 为氯。 5﹒一种杀霉菌组合物,其含至少一种载剂, 以及下列通式之化合物作为活性成分其中 n为0,1或2;R代表氯原子或甲基、 三氟甲基、甲氧基、或三氟甲氧基; R^1,R^2和R^3各自代表乙基、丁 基、环己基、基、苯基、氟苯基、氟苯 基、甲基苯基、三氟甲基苯基或甲氧苯基 或甲氧苯基;X代表氯阴离子。 6﹒根据申请专利范围第5项之组合物,其中 含至少2种载剂,至少一种为界面活性剂 。 7﹒一种对抗场所霉菌之方法,其包括以杀霉 菌有效量根据申请专利范围第1或2项之 化合物或根据申请专利范围第5或6项之 组合物处理该场所。 8﹒根据申请专利范围第7项之方法,其中该 场所包括霉菌侵袭或接受霉菌侵袭之植物 ,该植物之种子,或该植所生长或欲栽植 之介质。
地址 荷兰