发明名称 氢气储存方法及氢化物电极材料之化学组成法
摘要 本发明涉及下列四个群族氢气贮存材料及其电化学应用,特殊氢化物电极材料的化学组成,以及选择氢化物电极的简单而有效的方法。第一族:Tia Zrb Nic Crd Mx第二族:Tia Crb Zrc Nid V3-a-b-c-d第三族:Tia Zrb Nic V3-a-b-c第四族:Tia Mnb Vc Nid其中各下标a、b、c、d和x的含义见说明书所述。
申请公布号 CN1043409A 申请公布日期 1990.06.27
申请号 CN88108621.5 申请日期 1988.12.12
申请人 洪国修 发明人 洪国修
分类号 H01M4/00;H01M4/36;C01B6/00 主分类号 H01M4/00
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 卢新华
主权项 1、一种用以储存氢气及制备氢化物电极的材料,此材料具有由下列各群族中选出的化学组成;包括: Tia Zrb Nic Crd Mx 其中M=Al、Si、V、Mn、Fe、Co、Cu、Nb、Ag、Pd及稀土金属, 而且0.1≤a≤1.4,0.1≤b≤1.3,0.25≤c≤1.95, 0.1≤d≤1.4,a+b+c+d=3,0≤x≤0.2; Tia Crb Zrb Nic Crd V3-a-b-c-d Mx 其中M=Al、Si、Mn、Fe、Co、Cu、Nb、Ag、Pd及稀土金属;而且 0.1≤a≤1.3,0.1≤b≤1.2,0.1≤c≤1.3,0.2≤d≤1.95, 0.4≤a+b+c+d≤2.9,0≤x≤0.2; Tia Zrb Nic V3-a-b-c-d Mx 其中M=Al、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Nb、Ag、Pd及稀土元素等, 0.1≤a≤1.3,0.1≤b≤1.3,0.25≤c≤1.95, 0.6≤a+b+c≤2.9,0≤x≤0.2; Tia Mnb Vc Nid Mx 其中M=Al、Si、Fe、Co、Cu、Cr、Nb、Zr、Ag、Pd及稀土元素等, 又0.1≤a≤1.6,0.1≤b≤1.6,0.1≤c≤1.7,0.2≤d≤2.00, a+b+c+d=3,0≤x≤0.3。
地址 台湾省
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