发明名称 |
光电转换器件的制造方法 |
摘要 |
通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理,从而可在高生产率下生产光电转换器件,在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之,然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后,即使在8伏特的反向电压下,其反向电流也不会再超过15毫安培。 |
申请公布号 |
CN1008580B |
申请公布日期 |
1990.06.27 |
申请号 |
CN87100588.3 |
申请日期 |
1987.02.02 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
铃木邦夫;小林一平;柴田克彦;薄田真人;金花美树雄;深田武;永山进;阿部雅芳;山崎舜平 |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/04 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
林长安 |
主权项 |
1、一种消除光电转换器件中缺陷的方法,所述光电转换器件具有第一和第二电极,其间夹有含pin结的半导体层,其特征在于该方法为:在所述第一和第二电极间串联一电压源和一电流计;和使所述电压源通过所述第一和第二电极将低于破坏电压的一反向电压加到所述半导体层上,并使通过所述半导体层的电流受到监测,以便确认指示该半导体层缺陷的烧毁程度而造成的电流下降情况。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |