发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'OUVERTURES DANS UN CIRCUIT INTEGRE
摘要 <P>Formation d'ouvertures de contact au travers d'une couche de matériau isolant.</P><P>Selon l'invention, on procède à une attaque de gravure dans une première couche 12 en matériau isolant, au travers d'un masque, pour définir des ouvertures 19a, 19bde préférence incomplètement gravées, on élimine le masque, on dépose une seconde couche 21 et on procède à une seconde attaque de gravure, sans masque, jusqu'à ce que des zones de contact sur les éléments 14, 15 soient dégagées.</P>
申请公布号 FR2640810(A1) 申请公布日期 1990.06.22
申请号 FR19880016806 申请日期 1988.12.20
申请人 THOMSON COMPOSANTS MILIT SPATIAU 发明人 PIERRE BLANCHARD ET PATRICK BAUSSAND;BAUSSAND PATRICK
分类号 H01L21/311;H01L21/768 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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