| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'ELECTRODES DE FAIBLE DIMENSION, DANS UN CIRCUIT INTEGRE |
| 摘要 |
<P>Elaboration d'électrodes très resserrées, notamment dans un dispositif à transfert de charge.</P><P>Selon l'invention, une première couche 11 de matériau conducteur est déposée et subit une gravure incomplète en présence d'un masque 13; après élimination du masque, une seconde couche de matériau conducteur est déposée et l'ensemble est soumis à une gravure sans masque, ce qui permet de réduire la largeur des espaces interélectrodes.</P>
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| 申请公布号 |
FR2640808(A1) |
申请公布日期 |
1990.06.22 |
| 申请号 |
FR19880016805 |
申请日期 |
1988.12.20 |
| 申请人 |
THOMSON COMPOSANTS MILIT SPATIAU |
发明人 |
PIERRE BLANCHARD ET PATRICK BAUSSAND;BAUSSAND PATRICK |
| 分类号 |
H01L29/417;H01L21/339;H01L29/762 |
主分类号 |
H01L29/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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