Process for the lithographic production of galvanically shaped microstructures having a triangular or trapezoidal cross-section.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lithographischen Herstellung von galvanisch abformbaren Mikrostrukturen mit dreieckigem oder trapezförmigem Querschnitt aus Resistmaterial. Es soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem Mikrostrukturen mit dreieckigem oder trapezförmigem Querschnitt unter Verwendung der üblichen Masken mit senkrechten Wänden hergestellt werden können. Die Neigung der Mikrostrukturwände der zeugten Strukturen soll innerhalb weiter Grenzen frei wählbar sein, ohne daß die Maskenstruktur verändert wird. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Resistschicht während einer ersten Bestrahlung gegen eine senkrecht zur einfallenden Strahlung definierte Ebene um einen Winkel + α gedreht wird, anschließend die Resistschicht während einer zweiten Bestrahlung gegen die senkrecht zur einfallenden Strahlung definierte Ebene um den Winkel - α gedreht wird, wobei sich die während der ersten und während der zweiten Bestrahlung bestrahlten Bereiche an der Grenzfläche zwischen Resistschicht und Unterlage überlappen, wonach die Resistschicht in an sich bekannter Weise entwickelt wird.