| 发明名称 |
MOS POWER STRUCTURE WITH PROTECTIVE DEVICE AGAINST OVERVOLTAGES AND MANUFACTURING PROCESS THEREFOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0271942(A3) |
申请公布日期 |
1990.06.20 |
| 申请号 |
EP19870202309 |
申请日期 |
1987.11.25 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
FRISINA, FERRUCCIO |
| 分类号 |
H01L27/02;(IPC1-7):H01L27/06 |
主分类号 |
H01L27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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