Self regulating driver circuit with saturation level regulation for the base current of a power transistor.

摘要

Die erfindungsgemäße Basisstromregelung dient insbesondere zur freien Einstellung des gewünschten Sättigungsgrades eines Leistungstransistors (T1) im eingeschalteten Zustand. Hierzu stellt eine parallel arbeitende Sättigungsgradregelung (SBR) durch Auswerten der mittels einer Ankoppeldiode (D2) abgegriffenen Spannung (UCET1) am Ausgang des Leistungstransistors eine Hilfsstellgröße (ΔiBT1) im Kleinsignalbereich zur Verfügung. Diese wird bevorzugt dem Eingang eines Leistungsstellgliedes (LSG) in einer gesteuerten Treiberstufe (STS) zugeführt, welche die eigentliche Ansteuerenergie (SE) für den Basisstrom (IBT1) des Leistungstransistors (T1) bereitstellt.