| 发明名称 |
MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR FORMED IN SEMICONDUCTOR LAYER ON INSULATING SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02159767(A) |
申请公布日期 |
1990.06.19 |
| 申请号 |
JP19880315807 |
申请日期 |
1988.12.13 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
YAMAGUCHI YASUO;KUSUNOKI SHIGERU |
| 分类号 |
H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/08;H01L29/32;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/84 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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