| 摘要 |
La présente invention concerne les procédés de réalisation de lasers semi-conducteurs.Le procédé selon l'invention se caractérise essentiellement par le fait qu'il consiste à réaliser une couche 1 d'un milieu actif semi-conducteur laser, à réaliser une cavité optique 2 associée à cette couche, à disposer, sur au moins une partie de la surface de la couche, des première 6 et deuxième 7 couches de matériaux d'impuretés de polarités opposées, à faire diffuser dans le milieu actif au moins une partie des deux matériaux d'impuretés pour réaliser dans la première couche un cylindre 8 d'axe sensiblement parallèle à l'axe de la cavité optique et formé de deux demi-coquilles 9, 10 semi-cylindriques d'impuretés de polarités opposées diffusées, et à relier deux conducteurs 12 de l'énergie électrique, respectivement aux deux demi-coquilles.Application à la réalisation d'une pluralité de diodes laser sur un même substrat support, pour donner naissance à un faisceau laser unique homogène et dense.
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