半导体器件

摘要

含非晶Pin或niP型半导体器件，其中至少一界面层是由电阻率高于邻接界面层半导体的半导体或绝缘体制成，该界面层在半导体层间或在半导体和电极间；在P/i或n/i结界面处P型或n型层中掺杂量最小，在趋向于P/电极结界面或n/电极结界面方向上逐渐上升；或有较高杂质密度P型半导体层和/或有较高杂质密度的n型半导体层是在P型半导体层和P型半导体层同侧电极间，和/或在n型半导体和n型半导体层同侧电极间。

主权项

1、一半导体器件包括一个含有非晶半导体的Pin型层或niP型层和至少两个电极，其特征在于，在P型或n型层中的掺杂量在P/i或n/i的结界面上最小，而在趋向于P/电极或n/电极的界面的方向上逐渐增加。