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发明名称 REDUNDANCY CIRCUIT FOR USE IN A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 GB2191614(B) 申请公布日期 1990.06.06
申请号 GB19870010866 申请日期 1987.05.07
申请人 * SAMSUNG SEMICONDUCTOR & TELECOMMUNICATION CO LTD;* SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD 发明人 HYUNG-KYU * LIM;JAE-YEONG * DO;RUSTAM * MEHTA
分类号 H01L27/10;G11C11/401;G11C29/00;G11C29/04;H01L27/00 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
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