动态半导体存储装置

摘要

一种动态半导体存储装置，它包括产生指示测试模式的信号的装置、选出规定数量存储器单元的装置、向选出的单元中写入数据的写入装置，从上述单元中读出数据的读出装置和输出对应于读出装置的输出数据的逻辑值的输出装置。上述写入装置在至少一个选中单元中写入将写入数据反转后的数据，而读出装置则从该单元反转读出数据，其余选中单元的数据写入与读出照常。这样能更准确地测出存储器单元的故障。

主权项

1、一种动态半导体存储装置，它包含由分别存储信息的多个存储器单元组成的存储器单元阵列，其特征在于，它具备： 测试模式动作，该动作可同时选择上述存储器单元阵列的规定数量的多比特存储器单元，向上述规定数量的选出的存储器单元同时写入信号，且在写入之后，同时读出上述规定数量的存储器单元存储的信息，根据该读出的信息判定上述半导体存储装置全格或不合格； 此外，还具备： 产生指示上述测试模式的信号的装置； 响应上述测试模式指示信号而激活，响应外部所给地址从上述存储器单元阵列同时选出上述规定数量的存储器单元的装置； 接受外部所给的写入数据的装置； 写入装置，它在工作上结合上述接受写入数据的装置，在上述规定数量的选出的存储器单元内至少1个存储器单元中写入将上述写入数据反转后的数据，与此同时，在余下的存储器单元中写入与上述写入数据值相同的数据； 读出装置，它访问上述规定数量的选出的存储器单元，反转读出写入上述反转数据的存储单元的存储数据，同时照原样直接读出上述余下的存储器单元的存储数据；以及 输出装置，它响应上述测试模式指示信号而激活，接受从上述读出装置来的输出数据，输出与所接受的数据对应的逻辑值。