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Halbleiterlaser mit MCRW-Struktur mit einer auf der aktiven Schicht (2) aufgewachsenen Zwischenschicht (3), einer streifenförmigen Abstimmschicht (7), die von einem ersten Seitenbereich (40) mit einem ersten Abstimmkontakt (50) und einem zweiten Seitenbereich (41) mit einem zweiten Abstimmkontakt (51) flankiert wird, mit einer Deckschicht (8) und einer Kontaktschicht (9), dessen Stromversorgung über einen Substratkontakt (10) und einen Stegkontakt (11) erfolgt und der mittels über die Abstimmkontakte (50,51) in die Abstimmschicht (7) injizierte Ströme abstimmbar ist.
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