发明名称 FORMATION OF EPITAXIAL CRYSTAL LAYER AND MANUFACTURE OF STRIPE TYPE SEMICONDUCTOR LASER
摘要
申请公布号 JPH02146788(A) 申请公布日期 1990.06.05
申请号 JP19880301257 申请日期 1988.11.28
申请人 FUJITSU LTD 发明人 FUJII TOSHIO;SANDOUUADARUSHIYU
分类号 H01L21/203;H01S5/00 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人
主权项
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