| 摘要 |
本发明系有关特别适用于积体电路封装用之玻璃陶瓷材料的制造方法。此种玻璃陶瓷由热结晶性玻璃制备而成，可在850°至1000℃之间同时进行烧结及结晶以制得介电常数小于６，热膨胀线性系数约12至16×10^-7／℃且以堇青石固体溶液做为唯一晶相的物体。制得的玻璃陶瓷完全不含LiO2及Na2O，而主要含有10至25％的MgO+ZnO（以氧为重量百分率基准），即２～18％MgO+０～21％ ZnO，20～38％Al2O3，40～52％SiO2，及至少一种总百分率为２～15％的氧化物，包含高至８％的硷金属氧化物，选自K2O，Rb2O及CS2O，高至10％的二价金属氧化物，选自CaO，SrO，BaO，和PbO，ZnO，以及高至５％的B2O3。1987年4月27日在美国申请专利第042,980号 |
