PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ASYMETRIQUES ET TRANSISTORS CORRESPONDANTS

摘要

Un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ comprend la formation d'une couche active 3 dans un substrat 1, la formation d'un matériau de grille remplissant la fonction d'un masque d'implantation, l'implantation d'ions pour former une région de source 41, le dépôt d'un masque d'attaque sur la région de source et sur une partie du matériau de grille, et l'enlèvement du matériau non masqué pour définir une électrode de grille 2. Il comprend également le dépôt d'un second masque d'attaque du côté opposé à la région de source, et l'implantation d'impuretés pour former une région de drain 42. Les régions de source et de drain sont dopées de façon asymétrique et l'électrode de grille est disposée de façon asymétrique par rapport aux régions de source et de drain, avec un processus assurant l'auto-alignement.