| 发明名称 |
MANUFACTURE OF MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02137336(A) |
申请公布日期 |
1990.05.25 |
| 申请号 |
JP19880291590 |
申请日期 |
1988.11.18 |
| 申请人 |
NEC CORP |
发明人 |
OKABAYASHI HIDEKAZU;MOGAMI TORU;AOKI HIDEMITSU;SAITO SHUICHI;NAMITA HIROMITSU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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