| 摘要 |
Procédé de déposition épitaxiale et de traitement d'une seule gauffrette (45), chambre de réaction pour appliquer le procédé. La chambre (4) a une section transversale sensiblement rectangulaire réduite afin d'augmenter l'efficacité du système. Etant donné que cette section transversale réduite ne laisse pas assez de place pour un récepteur (43), le récepteur (43) est agencé, dans un mode de réalisation, à l'intérieur de la deuxième partie (29) d'une chambre (81) à deux hauteurs ayant une plus grande superficie de la section. Du gaz de purge fourni à travers une ouverture (41) ménagée dans la chambre (81) évite la formation de dépôts indésirables du gaz réactif en-dessous du récepteur (43). Le profil des vitesses et l'écoulement du gaz réactif en-dessous du récepteur (43) sont commandés par exemple par une plaque en quartz (121) qui rétrécit et façonne en même temps l'écart (125) entre le récepteur (43) et l'extrémité d'admission (19) de la chambre (81). On peut utiliser deux types d'injecteurs (103) de gaz réactif afin de commander le profil des vitesses des gaz injectés. |
