Method of manufacturing masks with structures in the submicrometer region.

摘要

Im Verlauf des Verfahrens zum Herstellen von Masken mit Strukturen im Submikrometerbereich werden auf einem Siliciumsubstrat (1), das mit einer Oxidschicht (2) bedeckt ist, zunächst Strukturen (7) aus Photoresist (5) oder Polymermaterial mit horizontalen und im wesentlichen vertikalen Seitenwänden hergestellt. Darüber wird eine Schicht aus Siliciumnitrid (8) in einem Plasmaabscheideverfahren aufgetragen. Auf diese Struktur wird zur Planarisierung ein Photoresist (9) aufgetragen und zurückgeätzt, bis der Anfang der senkrechten Flanken der Seitenwandbedeckung durch die Nitridschicht auf den Photoresiststrukturen freigelegt ist. Auf der Oberfläche von Nitridschicht und planarisierendem Resist wird in einem photolithographischen Verfahren eine Trimm-Maske (10) erzeugt. Anschließend werden die freiliegenden Bereiche der Nitridschicht (8) durch isotropes Ätzen entfernt. Die Abmessungen A-B der Öffnungen, die nach Entfernen der Nitridschicht von den vertikalen Oberflächen der Photoresiststrukturen definiert sind, werden durch anisotropes Ätzen in die Oxidschicht übertragen. Gleichzeitig mit diesen Strukturen minimaler Linienbreite werden Registriermarken erzeugt, welche die für einen weiteren photolithographischen Prozeß notwendige Justierung mit höchster Genauigkeit gestatten. Nach Entfernen der Trimm-Maske (10), des planarisierenden Resists (9) und der Photoresiststrukturen und der Reste der Nitridschicht werden in einem weiteren photolithographischen Prozeß Muster mit gröberen Linienbreiten definiert, welche ebenfalls in die Oxidschicht (8) übertragen werden. Unter Verwendung der Oxidschicht (8) als Maske werden durch anisotropes Ätzen in dem Siliciumsubstrat Gräben (11, 12) bis zu einer gewünschten Tiefe hergestellt. Die Maske wird durch gerichtetes Ätzen gedünnt und Oxidschichten von Vorder- und Rückseite durch Naßätzen entfernt.