首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
Modified block copolymer and a process for producing the same
摘要
申请公布号
US4927889(A)
申请公布日期
1990.05.22
申请号
US19870113238
申请日期
1987.10.27
申请人
ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA
发明人
SHIRAKI, TOSHINORI;HAYANO, FUSAKAZU;MORITA, HIDEO
分类号
C08F8/46;C08F287/00;C08L51/00;C08L77/00
主分类号
C08F8/46
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
三埠单相单级换流器及其操作方法;THREE-PORT SINGLE-PHASE SINGLE-STAGE MICRO-INVERTER AND OPERATION METHOD THEREOF
多相直流对直流电源转换器;MULTI-PHASE DC-DC POWER CONVERTER
端子组件
经掺杂氧化钪稳定之氧化锆电解质组成物;DOPED SCANDIA STABILIZED ZIRCONIA ELECTROLYTE COMPOSITIONS
锂二次电池复合电极材料与锂二次电池;COMPOSITE ELECTRODE MATERIAL OF LITHIUM SECONDARY BATTERY AND LITHIUM SECONDARY BATTERY
用于能量储存装置之离子凝胶离层及其可印组成物;IONIC GEL SEPARATION LAYER FOR ENERGY STORAGE DEVICES AND PRINTABLE COMPOSITIONS THEREFOR
一种柔性衬底
光伏电池及其制造方法;PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF
导光发电窗组及其导光发电模组;LIGHT GUIDING AND POWER GENERATING WINDOW SET AND LIGHT GUIDING AND POWER GENERATING MODULE THEREOF
显示装置;DISPLAY DEVICE
氧化物半导体薄膜及薄膜电晶体;OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THIN-FILM TRANSISTOR
薄膜电晶体结构;THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE
化合物半导体装置及其制造方法;COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
横向双扩散金属氧化物半导体元件制造方法;MANUFACTURING METHOD OF LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
记忆体之改善方法及其构造;IMPROVING METHOD FOR RANDOM ACCESS MEMORY AND STRUCTURE THEREOF
共用扩散标准单元架构;SHARED-DIFFUSION STANDARD CELL ARCHITECTURE
整合被动元件之半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATED WITH PASSIVE DEVICE
照明装置及其光源模组;ILLUMINATING DEVICE AND LIGHT MODULE THEREOF
静电放电防护结构;ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION STRUCTURE
静电放电保护电路;ESD PROTECTION CIRCUIT