| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de modulation de la quantité d'un métal tel que l'or diffusé dans un substrat de silicium, dans lequel, préalablement à la diffusion d'or, on réalise une diffusion d'un dopant tel que le phosphore variant dans une plage de 1013 et 10¹<5> atomes/cm³, la concentration de phosphore étant augmentée aux emplacements où l'on souhaite augmenter la concentration d'or.</p> |
