| 摘要 |
<P>La conception et la réalisation, sous forme de circuit intégré de type monolithique, d'éléments à résistance négative du type des diodes IMPATT ou GUNN munis de circuits d'adaptation aux applications hyperfréquences.</P><P>Selon l'invention, le module semi-conducteur monolithique comprend une première 23 et une seconde 22 mésas déposées sur une couche fortement thermoconductrice 21, ladite première mésa 23 constituant ladite diode à résistance négative, et la seconde mésa 22 formant élément capacitif d'isolation, et lesdites mésas 23, 22 sont connectées par une lame métallique 24 en pont à air, formant inductance d'accord.</P>
|
