| 摘要 |
<P>Ce procédé consiste à déposer sur un substrat 100 une couche de polyimide noir 102 absorbant la lumière visible, puis une couche de résine photo-sensible, à insoler la résine à travers un masque masquant les canaux des transistors à réaliser, à éliminer les zones insolées de la résine et les zones sous-jacentes du polyimide, à déposer une couche d'ITO 106 sur l'ensemble, à éliminer le restant de résine et l'ITO surmontant ladite résine pour former les sources-drains des transistors, à déposer successivement une couche de silicium amorphe hydrogéné 110, une couche de nitrure de silicium 112 et une couche d'aluminium 114, puis à photograver l'empilement de ces couches afin de former la grille des transistors et enfin passiver l'ensemble avec une couche de silice 116.</P>
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