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La présente invention concerne un procédé de modulation de la quantité d'un métal tel que l'or diffusé dans un substrat de silicium, dans lequel, préalablement à la diffusion d'or, on réalise une diffusion d'un dopant tel que le phosphore variant dans une plage 5 de 10**1**3 et 10**1**5 atomes/cm**3, la concentration de phosphore étant augmentée aux emplacements où l'on souhaite augmenter la concentration d'or.
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