| 发明名称 |
RADIATION HARDENING TECHNIQUES FOR METAL-OXIDE SILICON DEVICES |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0273702(A3) |
申请公布日期 |
1990.05.09 |
| 申请号 |
EP19870311350 |
申请日期 |
1987.12.23 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
WEI, CHING-YEU;WOODBURY, HENRY HUGH |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/266;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/10;H01L21/54 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
