发明名称 TARGET SOURCE FOR ION BEAM SPUTTER DEPOSITION.
摘要 On agence une cible utilisée dans la pulvérisation par faisceau ionique afin de faire varier la composition chimique de la couche mince déposée sans qu'il faille fabriquer une nouvelle cible. Ladite cible se compose d'un disque dans lequel se trouvent une pluralité d'orifices ne s'étendant que partiellement à travers ledit disque. On fabrique la cible à partir d'une composition chimique prédéterminée similaire à celle que l'on veut déposer. On remplit les orifices se trouvant à l'intérieur de la cible avec des bouchons de composition chimique variée. Par le choix du nombre de bouchons et de leur composition, ainsi que de la taille du bouchon, on peut faire varier facilement la structure de la couche mince selon un degré faible ou un degré élevé. On peut appliquer l'invention à tous les procédés de dépôt utilisant une cible comme source de matériau pour la couche mince.
申请公布号 EP0366754(A1) 申请公布日期 1990.05.09
申请号 EP19890905253 申请日期 1989.04.20
申请人 UNISYS CORPORATION 发明人 KESTIGIAN, MICHAEL;GILLIN, JOHN, FRANCIS
分类号 C23C14/46;C23C14/08;C23C14/34 主分类号 C23C14/46
代理机构 代理人
主权项
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