NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

摘要

Mémoire à semi-conducteurs rémanente comportant des cellules de mémoire rémanentes pouvant écrire et effacer électriquement des données. Chaque cellule de mémoire possède une porte flottante et une porte de commande formées sur la région du canal à la surface d'un substrat à semi-conducteurs. La porte flottante recouvre uniquement une partie de la région de canal. Dans la cellule de mémoire, par conséquent, un transistor de porte flottante et un transistor d'amélioration sont reliés en parallèle. Le transistor de porte flottante est dévié vers un côté dans le sens de la largeur de la région de canal ou ne recouvre que la partie centrale de la région de canal dans le sens de la largeur. En outre, un ensemble de cellules de mémoire sont connectées en série pour constituer un bloc de base. Les blocs de base avoisinants sont séparés par le transistor MOS d'amélioration. Dans cette mémoire, on forme la cellule de mémoire (porte flottante) et le transistor MOS d'amélioration (porte) un utilisant le même masque par auto-alignement. On forme en outre la porte de commande et la porte flottante en utilisant le même masque par auto-alignement.