SEMICONDUCTOR FOR RESISTIVE GAS SENSORS WITH HIGH SPEED OF REACTION.

摘要

Die Erfindung betrifft Halbleiter für einen resistiven Gassensor bzw. einen resistiven Halbleiter-Gassensor mit hoher Ansprechgeschwindigkeit. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Halbleiter für Gassensoren herzustellen, die zur Messung des Partialdruckes von Sauerstoff und reduzierenden Gasen in einem beliebig vorgegebenen Meßbereich zwischen 10<->³° und ca. 1 bzw. in diesem gesamten Meßbereich geeignet sind und deren Widerstandsänderung auf einem Volumeneffekt beruht. Insbesondere soll die Schichtdicke dieser Halbleiter unter 100 µm liegen. Die Halbleiter sollen vorgegebene geometrische Strukturen und scharf ausgeprägte Randzonen aufweisen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen speziell dotierten Halbleiter aus einem Perowskit der allgemeinen Formel A'xA1-x-Z1B'yB1-y-Z2O3 gelöst, der mit Hilfe eines organischen Pastengrundstoffes durch Dickfilmtechnik auf einem Substrat aufgebracht wird. Durch Zugabe oder Weglassen mindestens eines Elements oder durch die Verwendung von zwei verschiedenen Halbleitern wird die Kennlinie eindeutig gestaltet. Abstract Semiconductors for resistive gas sensors or resistive semiconductor gas sensors with high speed of reaction are disclosed. These semiconductors are appropriate to measure the partial pressure of oxygen and reducing gases in any predetermined measurement range between 10<->³° and about 1 bar or in the whole of this measurement range, their resistance changes being caused by a volume effect. In particular, these semiconductors have a layer less than 100 µm thick, predetermined geometric structure and clearly marked marginal zones. A specially doped semiconductor composed of perowskit having the general formula A'xA1-x-Z1B'yB1-y-Z2O3 is applied on a substrate with a paste of an organic base material by a thick film technique. By adding or removing at least one element or by using two different semiconductors the characterisitic curve is clearly traced.