MONOLITHIC INTEGRATED WAVEGUIDE-PHOTODIODE-FET COMBINATION.

摘要

Une combinaison monolithique intégrée de guides d'ondes-photodiodes-transistors à effet de champ comprend une couche guide d'ondes (2) appliquée sur un substrat (1) en matériau semiconducteur III-V, une couche (3) de photodiodes, une couche (4) de transistors à effet de champ, une couche commune de couverture (5), un couplage à recouvrement entre la couche guide d'ondes (2) et la couche de photodiodes (3), des dopants introduits de façon à former des photodiodes et des transistors à effet de champ, et une zone de séparation (19) afin d'isoler les photodiodes et les transistors à effet de champ.